Art

J-GLOBAL ID：200902125034850649   Reference number：00A0382668

Effects of Gas-Flow-Rate Ratio on Electrical Characteristics and Fowler-Nordheim Stress Resistance of Si Oxynitride Grown with Helicon-Wave-Excited N₂-Ar plasma.

ヘリコン波励起N₂-Arプラズマ成長Si酸化窒化膜の電気特性とFowler-Nordheimストレス耐性に及ぼすガス流量比の効果

Author (4)： OKA F (Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  TACHIKAWA M (Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  TSUKUDA T (Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  IKOMA H (Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 39  Issue： 3A  Page： 1013-1021  Publication year： Mar. 15, 2000 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Nitrogen ,...
Semi thesaurus term： *plasma treatment

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0382668&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (18)：

• 1) H. Hwang, W. Ting, D. L. Kwong and J. Lee: IEDM Tech. Dig. (1990) p. 421.
• 2) A. Uchiyama, H. Fukuda, T. Hayashi T. Iwabuchi and S. Ohno: IEDM Tech. Dig. (1990) p. 425.
• 3) W. Ting, G. Q. Lo, J. Ahn, T. Y. Chu and D. L. Kwong: IEEE Electron Device Lett. 12 (1991) 416.
• 4) J. Ahn, W. Ting and D. L. Kwong: IEEE Electron Device Lett. 13 (1992) 117.
• 5) Y. Okamoto, S. Kimura and H. Ikoma: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1996) 1253.

Terms in the title (12)： ヘリコン波 ,  励起 ,  N2 ,  Ar ,  プラズマ ,  成長 ,  Si ,  酸化 ,  窒化膜 ,  電気特性 ,  ストレス耐性 ,  ガス流量