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J-GLOBAL ID：200902125551679631   Reference number：95A0818811

Experimental investigation of a PtSi source and drain field emission transistor.

PtSiソース及びドレイン電界放出トランジスタの実験研究

Author (3)： SNYDER J P (Stanford Univ., California) ,  HELMS C R (Stanford Univ., California) ,  NISHI Y (Hewlett-Packard ULSI Res. Lab., California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 67  Issue： 10  Page： 1420-1422  Publication year： Sep. 04, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： ソース ,  ドレイン ,  電界放出 ,  トランジスタ ,  実験 ,  研究