Art

J-GLOBAL ID：200902126427192844   Reference number：01A0650904

Lateral current spreading in GaN-based light-emitting diodes utilizing tunnel contact junctions.

トンネル接触接合を利用したGaNベース発光ダイオードにおける横方向電流拡がり

Author (6)： JEON S-R (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  SONG Y-H (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  JANG H-J (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  YANG G M (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR) ,  HWANG S W (Knowledge on Inc., Iksan, KOR) ,  SON S J (Chonbuk National Univ., Chonju, KOR)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 78  Issue： 21  Page： 3265-3267  Publication year： May. 21, 2001 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： tunnel junction ,...
Semi thesaurus term： 面発光ダイオード

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0650904&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (5)： トンネル ,  GaN ,  発光ダイオード ,  横方向 ,  拡がり