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J-GLOBAL ID：200902126750003082   Reference number：02A0200779

OUM-A 180nm Nonvolatile Memory Cell Element Technology For Stand Alone and Embedded Applications.

OUM スタンドアローン及び埋込み応用のための180nm不揮発性メモリセル素子技術

Author (2)： LAI S (Intel Corp., CA) ,  LOWREY T (Intel Corp., CA)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 2001  Page： 803-806  Publication year： 2001 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *nonvolatile memory ,...
Semi thesaurus term： OUM【メモリ】 ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Phase transitions and critical phenomena in general  (BL04010V)

Terms in the title (4)： 埋込み ,  応用 ,  不揮発性メモリ ,  セル