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J-GLOBAL ID：200902126901105133   Reference number：97A0833573

Growth of Thick GaN Films on RF Sputtered AlN Buffer Layer by Hydride Vapor Phase Epitaxy.

水素化物気相エピクシーによる,RFスパッタ成長AlNバッファ層上へのGaN厚膜の成長

Author (5)： LEE H (Stanford Univ., CA) ,  YURI M (Stanford Univ., CA) ,  UEDA T (Stanford Univ., CA) ,  HARRIS J S (Stanford Univ., CA) ,  SIN K (Stanford Univ., CA)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 26  Issue： 8  Page： 898-902  Publication year： Aug. 1997 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： epitaxy ,...

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JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (8)： 水素化物 ,  気相 ,  RFスパッタ ,  成長 ,  AlN ,  バッファ層 ,  GaN ,  厚膜