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J-GLOBAL ID：200902127256360600   Reference number：00A0596712

Temperature and gate voltage dependence of hole mobility in polycrystalline oligothiophene thin film transistors.

多結晶オリゴチオフェン薄膜トランジスタにおける正孔移動度の温度とゲート電圧への依存性

Author (3)： HOROWITZ G (Lab. Mat<span style=text-decoration:overline> ́e</span>riaux Mol<span style=text-decoration:overline> ́e</span>culaires, CNRS, Thiais, FRA) ,  HAJLAOUI M E (Lab. Mat<span style=text-decoration:overline> ́e</span>riaux Mol<span style=text-decoration:overline> ́e</span>culaires, CNRS, Thiais, FRA) ,  HAJLAOUI R (Lab. Mat<span style=text-decoration:overline> ́e</span>riaux Mol<span style=text-decoration:overline> ́e</span>culaires, CNRS, Thiais, FRA)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 87  Issue： 9,Pt.1  Page： 4456-4463  Publication year： May. 01, 2000 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor thin film ,...

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JST classification (3)： Electric conduction in organic compounds  (BM03045F) ,  Thin films of organic compounds  (BK14070L) ,  Transistors  (NC03070N)

Substance index (1)： α-Sexithiophene

Terms in the title (6)： 多結晶 ,  オリゴチオフェン ,  薄膜トランジスタ ,  正孔移動度 ,  ゲート電圧 ,  依存性