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J-GLOBAL ID：200902127262280413   Reference number：93A0798495

Pinning of Photoluminescence Peak Positions for Light-Emitting Porous Silicon: An Evidence of Quantum Size Effect.

光を放出する多孔質シリコンの光ルミネセンスピーク位置のピンニング 量子サイズ効果の証拠

Author (8)： WANG X (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  HUANG D (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  YE L (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  YANG M (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  HAO P (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  FU H (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  HOU X (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  XIE X (Fudan Univ., Shanghai, CHN)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 71  Issue： 8  Page： 1265-1267  Publication year： Aug. 23, 1993 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： photoluminescence ,...
Semi thesaurus term： tight binding approximation

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JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (7)： 放出 ,  多孔質シリコン ,  光ルミネセンス ,  ピーク位置 ,  ピンニング ,  量子サイズ効果 ,  証拠