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J-GLOBAL ID：200902127319846761   Reference number：98A0852203

Optimization of Etch Conditions for a Silicon-Containing Methacrylate Based Bilayer Resist for 193nm Lithography.

シリコンのエッチング条件の最適化 193nmリソグラフィー用のメタクリル樹脂系二層レジストの含有

Author (9)： STEINHAEUSLER T (Olin Microelectronic Materials, RI) ,  GABOR A H (Olin Microelectronic Materials, RI) ,  WHITE D (Olin Microelectronic Materials, RI) ,  BLAKENEY A J (Olin Microelectronic Materials, RI) ,  STARK D R (SEMATECH, TX) ,  MILLER D A (SEMATECH, TX) ,  RICH G K (SEMATECH, TX) ,  GRAFFENBERG V L (SEMATECH, TX) ,  DEAN K R (SEMATECH, TX)
Material： Proceedings of SPIE  (Proceedings. SPIE - The International Society for Optical Engineering)
Volume： 3333  Issue： Pt.1  Page： 122-131  Publication year： 1998 
JST Material Number： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  Document type： Proceedings
Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (6)： シリコン ,  エッチング ,  最適化 ,  リソグラフィー ,  メタクリル樹脂 ,  レジスト