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J-GLOBAL ID：200902127444042216   Reference number：01A0433720

In situ spectroscopic ellipsometry of carbon nucleation and growth on Si in a deposition process by DC glow discharge of methane.

メタンのdcグロー放電による蒸着過程におけるSi上の炭素核形成及び成長のその場分光偏光解析法による評価

Author (6)： MORITANI A (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KITAHARA K (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KITAMURA T (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KATAYAMA H (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  KANAYAMA N (Inst. Industrial Sci. and Technol., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI M (J.A. Woollam Japan Co., Tokyo, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 386  Issue： 2  Page： 137-141  Publication year： May. 15, 2001 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *glow discharge ,...
Semi thesaurus term： graphite

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Optical properties of condensed matter in general  (BM08010A)

Substance index (1)： Methane

Terms in the title (10)： メタン ,  DC ,  グロー放電 ,  蒸着過程 ,  Si ,  炭素 ,  核形成 ,  成長 ,  分光偏光解析法 ,  評価