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J-GLOBAL ID：200902127685961735   Reference number：02A0962663

Gas sensitive GaN/AlGaN-heterostructures.

ガス感受性GaN/AlGaN-ヘテロ構造

Author (5)： SCHALWIG J (EADS Deutschland GmbH, Munich, DEU) ,  MUELLER G (EADS Deutschland GmbH, Munich, DEU) ,  EICKHOFF M (Technical Univ. Munich, Garching, DEU) ,  AMBACHER O (Technical Univ. Munich, Garching, DEU) ,  STUTZMANN M (Technical Univ. Munich, Garching, DEU)
Material： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sens Actuators B Chem)
Volume： B87  Issue： 3  Page： 425-430  Publication year： Dec. 20, 2002 
JST Material Number： T0967A  ISSN： 0925-4005  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,...

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JST classification (2)： Other solid-state devices  (NC03150A) ,  Transistors  (NC03070N)

Substance index (1)： Acetylene

Terms in the title (4)： 感受性 ,  GaN ,  AlGaN ,  ヘテロ構造