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J-GLOBAL ID：200902128224200704   Reference number：02A0397797

Status and Prospects for SiC Power MOSFETs.

SiCパワーMOSFETの現状と展望

Author (5)： COOPER J A JR (Purdue Univ., IN, USA) ,  MELLOCH M R (Purdue Univ., IN, USA) ,  SINGH R (Cree Res. Inc., NC, USA) ,  AGARWAL A (Cree Res. Inc., NC, USA) ,  PALMOUR J W (Cree Res. Inc., NC, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 49  Issue： 4  Page： 658-664  Publication year： Apr. 2002 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *power transistor ,...
Semi thesaurus term： power device ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： SiC ,  パワーMOSFET ,  現状 ,  展望