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J-GLOBAL ID：200902128294528880   Reference number：00A0409048

Direct Observation of Initial Growth of GaAs on GaP LPE.

GaAs on GaP液相成長初期過程のその場観察

Author (4)： TANAKA AKIRA (静岡大 電子工研) ,  IZUMI NAOKI (静岡大 電子工研) ,  KIMURA MASAKAZU (静岡大 電子工研) ,  SUKEGAWA TOKUZO (静岡大 電子工研)
Material： 静岡大学電子工学研究所研究報告  (Bulletin of the Research Institute of Electronics, Shizuoka University)
Volume： 34  Page： 95-98  Publication year： 1999 
JST Material Number： S0453A  ISSN： 0286-3383  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Techniques and equipment of crystal growth  (BK13020B)

Terms in the title (6)： GaAs ,  GAP ,  液相成長 ,  初期 ,  過程 ,  その場観察