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J-GLOBAL ID：200902128306745032   Reference number：02A0892506

Power MOSFET switching waveforms: An empirical model based on a physical analysis of charge locations.

電力用MOSFETのスイッチング波形 電荷位置の物理解析に基づいた経験的モデル

Author (5)： AUBARD L (Domaine Univ., Saint Martin d’Heres, FRA) ,  VERNEAU G (Domaine Univ., Saint Martin d’Heres, FRA) ,  CREBIER J C (Domaine Univ., Saint Martin d’Heres, FRA) ,  SCHAEFFER C (Domaine Univ., Saint Martin d’Heres, FRA) ,  AVENAS Y (Domaine Univ., Saint Martin d’Heres, FRA)
Material： Record. IEEE Power Electronics Specialists Conference  (IEEE Annual Power Electronics Specialists Conference)
Volume： 33rd  Issue： Vol.3  Page： 1305-1310  Publication year： 2002 
JST Material Number： C0800A  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： MOSFET ,  スイッチング ,  波形 ,  電荷 ,  物理 ,  解析 ,  経験的モデル