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J-GLOBAL ID：200902128351909992   Reference number：99A0866136

GaN homoepitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition.

有機金属化学蒸着によって成長させたGaNホモエピタキシャル層

Author (8)： LESZCZYNSKI M (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  BEAUMONT B (CRHEA, CNRS, Valbonne, FRA) ,  FRAYSSINET E (Univ. Montpellier II, Montpellier, FRA) ,  KNAP W (Univ. Montpellier II, Montpellier, FRA) ,  PRYSTAWKO P (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  SUSKI T (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  GRZEGORY I (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  POROWSKI S (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 75  Issue： 9  Page： 1276-1278  Publication year： Aug. 30, 1999 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 有機金属化学蒸着 ,  成長 ,  GaN ,  ホモ ,  エピタキシャル層