Art

J-GLOBAL ID：200902128679581544   Reference number：97A0806608

Deep Defect Centers in Silicon Carbide Monitored with Deep Level Transient Spectroscopy.

深準位過渡分光法によってモニタした炭化けい素中の深い欠陥中心

Author (7)： DALIBOR T (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  PENSL G (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  MATSUNAMI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO T (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  CHOYKE W J (Univ. Pittsburgh, PA, USA) ,  SCHOENER A (Industrial Microelectronics Center (imc), Stockholm, SWE) ,  NORDELL N (Industrial Microelectronics Center (imc), Stockholm, SWE)
Material： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Phys Status Solidi A)
Volume： 162  Issue： 1  Page： 199-225  Publication year： Jul. 16, 1997 
JST Material Number： D0774A  ISSN： 0031-8965  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0806608&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0774A") }}

JST classification (1)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (4)： 深準位過渡分光法 ,  モニタ ,  炭化けい素 ,  欠陥