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J-GLOBAL ID：200902128985719568   Reference number：01A0670350

Effects of interface roughness and phonon scattering on intersubband absorption linewidth in a GaAs quantum well.

GaAs量子井戸でのサブバンド間吸収線幅に及ぼす界面粗さおよびフォノン散乱の影響

Author (7)： UNUMA T (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  TAKAHASHI T (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  NODA T (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  YOSHITA M (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  SAKAKI H (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  BABA M (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  AKIYAMA H (Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 78  Issue： 22  Page： 3448-3450  Publication year： May. 28, 2001 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Infrared spectra,Raman scattering and Raman spectra of semiconductors  (BM08066B)

Terms in the title (6)： GaAs ,  量子井戸 ,  サブバンド間吸収 ,  線幅 ,  界面粗さ ,  フォノン散乱