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J-GLOBAL ID：200902129028227595   Reference number：01A0686760

Core-level and valence-band characteristics of carbon nitride films with high nitrogen content.

高い窒素組成をもつ窒化炭素薄膜の内殻準位と価電子帯特性

Author (6)： ZHAO J P (Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN) ,  CHEN Z Y (Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN) ,  YANO T (Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN) ,  OOIE T (Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN) ,  YONEDA M (Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN) ,  SAKAKIBARA J (Shikoku National Industrial Res. Inst., Takamatsu, JPN)
Material： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Solids and Surfaces)
Volume： 73  Issue： 1  Page： 97-101  Publication year： Jul. 2001 
JST Material Number： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nitrogen ,...
Semi thesaurus term： *valence band ,...

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JST classification (2)： Electron spectroscopy  (BM09060K) ,  Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Terms in the title (6)： 窒素 ,  組成 ,  窒化 ,  炭素薄膜 ,  内殻準位 ,  価電子帯