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J-GLOBAL ID：200902129409286334   Reference number：96A0434162

Selective thermal desorption of SiO2 induced by electron beams in nanometers.

Si酸化膜のナノスケール電子線励起選択的熱脱離

Author (4)： FUJITA SHINOBU (アトムテクノロジー研究体) ,  MARUNO SHIGEMITSU (アトムテクノロジー研究体) ,  WATANABE HEIJI (アトムテクノロジー研究体) ,  ICHIKAWA MASAKAZU (アトムテクノロジー研究体)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 43rd  Issue： 2  Page： 682  Publication year： Mar. 1996 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (5)： Si ,  酸化膜 ,  ナノスケール ,  電子線励起 ,  熱脱離