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J-GLOBAL ID：200902129609576248   Reference number：95A0053131

1/f Noise in MOS Devices, Mobility or Number Fluctuations?

MOSデバイスの1/f雑音,移動度か数の揺らぎか?

Author (3)： VANDAMME L K J (Eindhoven Univ. Technology, Eindhoven, NLD) ,  LI X (Eindhoven Univ. Technology, Eindhoven, NLD) ,  RIGAUD D (Univ. Montpellier II, Montpellier, FRA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 41  Issue： 11  Page： 1936-1945  Publication year： Nov. 1994 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...
Semi thesaurus term： flicker noise

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： MOSデバイス ,  雑音 ,  移動度 ,  数 ,  揺らぎ