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J-GLOBAL ID：200902129669916021   Reference number：99A0610248

Dependencies of low-temperature electronic properties of MBE-grown GaAs/AlGaAs single heterojunctions upon arsenic species.

MBE成長したGaAs/AlGaAs単一へテロ接合の低温電子物性のヒ素原子種に対する依存性

Author (5)： YAMADA S (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN) ,  OKAYASU J (Advantest Res. Inst., Ishikawa, JPN) ,  GOZU S (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN) ,  HONG C U (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN) ,  HORI H (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 201/202  Page： 800-804  Publication year： May. 1999 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (8)： MBE成長 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  テロ ,  低温 ,  電子物性 ,  ヒ素 ,  依存性