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J-GLOBAL ID：200902129683351517   Reference number：01A0815314

Characterization of process-induced lattice distortion in silicon by double-crystal x-ray topography using a curved collimator.

湾曲コリメータを用いた二結晶X線トポグラフィーによるシリコン中のプロセス誘起格子歪の評価

Author (5)： KUDO Y (Sony Corp., Atsugi, JPN) ,  LIU K-Y (Sony Corp., Atsugi, JPN) ,  KAWADO S (Sony Corp., Atsugi, JPN) ,  XIAOWEI Z (High Energy Accelerator Res. Organization, Tsukuba, JPN) ,  HIRANO K (High Energy Accelerator Res. Organization, Tsukuba, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 90  Issue： 2  Page： 670-674  Publication year： Jul. 15, 2001 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *lattice distortion ,...

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JST classification (2)： Mechanical properties of solids in general  (BL01021C) ,  X-ray diffraction methods  (BK01020I)

Terms in the title (9)： 湾曲 ,  コリメータ ,  結晶 ,  X線トポグラフィー ,  シリコン ,  プロセス ,  誘起 ,  格子歪 ,  評価