Art

J-GLOBAL ID：200902130929094274   Reference number：00A0137713

Electrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructure.

強磁性半導体ヘテロ構造への電気的なスピン注入

Author (6)： OHNO Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YOUNG D K (Univ. California, California, USA) ,  BESCHOTEN B (Univ. California, California, USA) ,  MATSUKURA F (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  AWSCHALOM D D (Univ. California, California, USA)
Material： Nature (London)  (Nature (Lond))
Volume： 402  Issue： 6763  Page： 790-792  Publication year： Dec. 16, 1999 
JST Material Number： D0193B  ISSN： 0028-0836  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ferromagnetic semiconductor ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0137713&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0193B") }}

JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (3)： 強磁性半導体 ,  ヘテロ構造 ,  スピン注入