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J-GLOBAL ID：200902131664314630   Reference number：94A0723511

Microwave performance of GaN MESFETs.

GaN MESFETのマイクロ波性能

Author (6)： BINARI S C (Naval Research Lab., Washington, D.C., USA) ,  ROWLAND L B (Naval Research Lab., Washington, D.C., USA) ,  KRUPPA W (SFA, Inc., MD, USA) ,  KELNER G (Naval Research Lab., Washington, D.C., USA) ,  DOVERSPIKE K (Naval Research Lab., Washington, D.C., USA) ,  GASKILL D K (Naval Research Lab., Washington, D.C., USA)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 30  Issue： 15  Page： 1248-1249  Publication year： Jul. 21, 1994 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： GaN ,  MESFET ,  マイクロ波