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J-GLOBAL ID：200902132617389784   Reference number：02A0017980

Distance Dependence of the Electron-Transfer Rate Across Covalently Bonded Monolayers on Silicon.

けい素表面の共有結合単分子層を経由する電子移動速度の距離依存性

Author (6)： CHENG J (Stanford Univ., California) ,  ROBINSON D B (Stanford Univ., California) ,  CICERO R L (Stanford Univ., California) ,  EBERSPACHER T (Stanford Univ., California) ,  BARRELET C J (Stanford Univ., California) ,  CHIDSEY C E D (Stanford Univ., California)
Material： Journal of Physical Chemistry B  (Journal of Physical Chemistry B. Biophysical Chemistry, Biomaterials, Liquids, and Soft Matter)
Volume： 105  Issue： 44  Page： 10900-10904  Publication year： Nov. 08, 2001 
JST Material Number： W0921A  ISSN： 1520-6106  CODEN： JPCBFK  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (3)： Electrode process  (CB07040U) ,  Thin films of organic compounds  (BK14070L) ,  Electrical properties of interfaces in general  (BM03081H)

Substance index (6)： Tetrahydrofuran ,  Pentamethylcyclopentadienide ,  1-Pentene ,  1-Hexene ,  1-Heptene ,  1-Octene

Terms in the title (5)： けい素 ,  共有結合 ,  単分子層 ,  電子移動速度 ,  距離依存性