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J-GLOBAL ID：200902133030273437   Reference number：99A0248292

Epitaxial growth of 3C-SiC by low-pressure chemical vapor deposition on a surface-structure-controlled molecular beam epitaxy layer.

表面構造制御分子線エピタクシー層上への低圧化学蒸着による3C-SiCのエピタキシャル成長

Author (2)： UCHIDA M (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  KITABATAKE M (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kyoto, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 335  Issue： 1/2  Page： 32-36  Publication year： Dec. 14, 1998 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *epitaxy ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Substance index (1)： Propane

Terms in the title (6)： 構造制御 ,  分子線 ,  エピタクシー層 ,  低圧化学蒸着 ,  3C-SiC ,  エピタキシャル成長