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J-GLOBAL ID：200902133118660465   Reference number：95A0920443

Fabrications and Thermoelectric Properties of Semiconducting Iron Disilicides.

金属間化合物半導体FeSi₂の製造法とその熱電特性

Author (1)： NISHIDA ISAO (金材技研)
Material： 鉄と鋼
Volume： 81  Issue： 10  Page： N454-N460  Publication year： Oct. 1995 
JST Material Number： F0332A  ISSN： 0021-1575  CODEN： TEHAA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicide ,...

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JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Reference (69)：

• KIEFFER, R. Z. Metallk. 1953, 44, 437
• KIEFFER, R. Ber. Deut. Keram. Ges. 1954, 31, 223
• SEARCY, A. W. J. Amer. Ceram. Soc. 1957, 40, 413
• BREWER, L. J. Amer. Ceram. Soc. 1960, 33, 291
• SAMSONOV, G. V. Refractry Transition Metal Compound. 1964

Terms in the title (3)： 金属間化合物半導体 ,  製造法 ,  熱電特性