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J-GLOBAL ID：200902133480363800   Reference number：02A0292231

Epitaxial growth of InGaAs on misoriented GaAs(100) substrate by metal-organic vapor phase epitaxy.

有機金属気相エピタクシーによるミス方位GaAs(100)基板上でのInGaAsのエピタクシー成長

Author (6)： TAKANO Y (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  MASUDA M (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  KOBAYASHI K (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  KUWAHARA K (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  FUKE S (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SHIRAKATA S (Ehime Univ., Ehime, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 236  Issue： 1/3  Page： 31-36  Publication year： Mar. 2002 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *buffer layer ,...
Semi thesaurus term： MOVPE ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 有機金属気相エピタクシー ,  ミス ,  方位 ,  GaAs ,  InGaAs ,  エピタクシー成長