Art

J-GLOBAL ID：200902133799068860   Reference number：01A0432802

Large area and high density nucleation by using BEN method with hydrogen etching at a low pressure.

水素エッチングを付加した低気圧BEN法による広領域・高密度核発生

Author (4)： AOKI KOSUKE (福岡工大) ,  KUDO KOICHI (福岡工大) ,  TOYOFUKU MASAHARU (福岡工大) ,  OGI SUKEOMI (北九州工高専)
Material： 福岡工業大学研究論集  (Research Bulletin of Fukuoka Institute of Technology)
Volume： 33  Issue： 1  Page： 7-12  Publication year： Oct. 16, 2000 
JST Material Number： X0506A  ISSN： 0287-6620  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Diamond ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0432802&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=X0506A") }}

JST classification (1)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Terms in the title (5)： 水素 ,  エッチング ,  低気圧 ,  広領域 ,  高密度