Art

J-GLOBAL ID：200902134322394665   Reference number：96A0607830

Hole traps in nitrogen-doped ZnSe epitaxial layers.

窒素ドープZnSeエピタキシャル層中の正孔トラップ

Author (3)： MATSUMOTO T (Yamanashi Univ., Kofu, JPN) ,  EGASHIRA K (Yamanashi Univ., Kofu, JPN) ,  KATO T (Yamanashi Univ., Kofu, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 159  Issue： 1/4  Page： 280-283  Publication year： Feb. 1996 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： zinc selenide ,...

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JST classification (1)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Terms in the title (4)： 窒素ドープ ,  ZnSe ,  エピタキシャル層 ,  正孔トラップ