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J-GLOBAL ID：200902134770768789   Reference number：02A0857116

Fabrication of ultra-high density InAs-stacked quantum dots by strain-controlled growth on InP(311)B substrate.

歪制御成長によるInP(311)B基板への超高密度積層InAs量子ドットの製造

Author (4)： AKAHANE K (Communications Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  OHTANI N (Communications Res. Lab., Tokyo, JPN) ,  OKADA Y (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  KAWABE M (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 245  Issue： 1/2  Page： 31-36  Publication year： Nov. 2002 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum dot ,...
Semi thesaurus term： strain relaxation

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 歪制御 ,  成長 ,  InP ,  高密度 ,  InAs量子ドット