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J-GLOBAL ID：200902134955778900   Reference number：95A0498257

Epitaxial Growth of Cubic GaN on (111) GaAs by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.

有機金属化学気相成長法による(111)GaAs基板への立方晶GaNのエピタキシャル成長

Author (3)： HONG C H (Univ. Michigan, MI) ,  WANG K (Univ. Michigan, MI) ,  PAVLIDIS D (Univ. Michigan, MI)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 24  Issue： 4  Page： 213-218  Publication year： Apr. 1995 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (5)： 有機金属化学気相成長法 ,  GaAs基板 ,  立方晶 ,  GaN ,  エピタキシャル成長