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J-GLOBAL ID：200902135022353386   Reference number：96A0213603

InAs self-assembled quantum dots on InP by molecular beam epitaxy.

分子ビームエピタクシーによるInP上のInAs自己整合量子ドット

Author (5)： FAFARD S (National Res. Council, Ontario, CAN) ,  WASILEWSKI Z (National Res. Council, Ontario, CAN) ,  MCCAFFREY J (National Res. Council, Ontario, CAN) ,  RAYMOND S (National Res. Council, Ontario, CAN) ,  CHARBONNEAU S (National Res. Council, Ontario, CAN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 68  Issue： 7  Page： 991-993  Publication year： Feb. 12, 1996 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium phosphide ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (5)： 分子ビームエピタクシー ,  InP ,  InAs ,  自己整合 ,  量子ドット