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J-GLOBAL ID：200902135132712543   Reference number：01A0801031

Nanostructure formation on Si(111) surface assisted by synchrotron radiation illumination. Characterization by scanning tunneling microscopy.

シンクロトロン放射照明により支援されたSi(111)表面上のナノ構造形成 走査型トンネル顕微鏡による評価

Author (5)： NONOGAKI Y (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN) ,  GAO Y (Univ. Rochester, NY, USA) ,  MEKARU H (Himeji Inst. Technol., Akou, JPN) ,  MIYAMAE T (National Inst. Materials and Chemical Res., Tukuba, JPN) ,  URISU T (Inst. Molecular Sci., Okazaki, JPN)
Material： Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena  (J Electron Spectrosc Relat Phenom)
Volume： 119  Issue： 2/3  Page： 241-246  Publication year： Aug. 2001 
JST Material Number： D0266C  ISSN： 0368-2048  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (7)： シンクロトロン放射 ,  照明 ,  支援 ,  Si ,  構造形成 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  評価