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J-GLOBAL ID：200902135225557670   Reference number：99A0808134

Semi-insulating C-doped GaN and high-mobility AlGaN/GaN heterostructures grown by ammonia molecular beam epitaxy.

アンモニア分子ビームエピタクシーによって成長させた半絶縁性CドープGaNと高移動度AlGaN/GaNヘテロ構造

Author (4)： WEBB J B (National Res. Council Canada, Ontario, CAN) ,  TANG H (National Res. Council Canada, Ontario, CAN) ,  ROLFE S (National Res. Council Canada, Ontario, CAN) ,  BARDWELL J A (National Res. Council Canada, Ontario, CAN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 75  Issue： 7  Page： 953-955  Publication year： Aug. 16, 1999 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (9)： アンモニア ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  半絶縁性 ,  ドープ ,  GaN ,  高移動度 ,  AlGaN ,  ヘテロ構造