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J-GLOBAL ID：200902135315117423   Reference number：02A0499242

Unusual properties of the fundamental band gap of InN.

InNの基本バンドギャップの異常な性質

Author (9)： WU J (Univ. California, California) ,  WALUKIEWICZ W (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  YU K M (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  AGER J W III (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  HALLER E E (Univ. California, California) ,  LU H (Cornell Univ., New York) ,  SCHAFF W J (Cornell Univ., New York) ,  SAITO Y (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  NANISHI Y (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 80  Issue： 21  Page： 3967-3969  Publication year： May. 27, 2002 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium nitride ,...
Semi thesaurus term： *forbidden band

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (3)： InN ,  バンドギャップ ,  性質