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J-GLOBAL ID：200902135319374226   Reference number：98A0866202

Influence of Si doping on characteristics of InGaN/GaN multiple quantum wells.

InGaN/GaN多重量子井戸の特性に及ぼすSiドーピングの影響

Author (7)： CHO Y-H (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  SONG J J (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  KELLER S (Univ. California, California) ,  MINSKY M S (Univ. California, California) ,  HU E (Univ. California, California) ,  MISHRA U K (Univ. California, California) ,  DENBAARS S P (Univ. California, California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 73  Issue： 8  Page： 1128-1130  Publication year： Aug. 24, 1998 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (5)： InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  Si ,  ドーピング