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J-GLOBAL ID：200902136102581815   Reference number：96A0127755

Characterization of Polishing-Related Surface Damage in (0001) Silicon Carbide Substrates.

(0001)炭化けい素基板中の研磨関連表面損傷の特性解析

Author (6)： QIAN W (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania, USA) ,  SKOWRONSKI M (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania, USA) ,  AUGUSTINE G (Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania, USA) ,  GLASS R C (Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania, USA) ,  HOBGOOD H MCD (Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania, USA) ,  HOPKINS R H (Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania, USA)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 142  Issue： 12  Page： 4290-4294  Publication year： Dec. 1995 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： lapping ,...

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JST classification (1)： Grinding  (QC03000R)

Terms in the title (5)： 炭化 ,  けい素基板 ,  研磨 ,  表面損傷 ,  特性解析