Art

J-GLOBAL ID：200902136102581815   Reference number：96A0127755

Characterization of Polishing-Related Surface Damage in (0001) Silicon Carbide Substrates.

(0001)炭化けい素基板中の研磨関連表面損傷の特性解析

Author (6)： QIAN W (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania, USA) ,  SKOWRONSKI M (Carnegie Mellon Univ., Pennsylvania, USA) ,  AUGUSTINE G (Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania, USA) ,  GLASS R C (Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania, USA) ,  HOBGOOD H MCD (Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania, USA) ,  HOPKINS R H (Westinghouse Sci. and Technol. Center, Pennsylvania, USA)
Material： Journal of the Electrochemical Society  (J Electrochem Soc)
Volume： 142  Issue： 12  Page： 4290-4294  Publication year： Dec. 1995 
JST Material Number： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： lapping

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0127755&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0285A") }}

JST classification (1)： Grinding  (QC03000R)

Terms in the title (5)： 炭化 ,  けい素基板 ,  研磨 ,  表面損傷 ,  特性解析