Art

J-GLOBAL ID：200902136489489768   Reference number：99A0691344

The electronic structure at the atomic scale of ultrathin gate oxides.

超薄ゲート酸化物の原子スケールにおける電子構造

Author (6)： MULLER D A (Bell Lab., New Jersey, USA) ,  SORSCH T (Bell Lab., New Jersey, USA) ,  MOCCIO S (Bell Lab., New Jersey, USA) ,  BAUMANN F H (Bell Lab., New Jersey, USA) ,  EVANS-LUTTERODT K (Bell Lab., New Jersey, USA) ,  TIMP G (Bell Lab., New Jersey, USA)
Material： Nature (London)  (Nature (Lond))
Volume： 399  Issue： 6738  Page： 758-761  Publication year： Jun. 24, 1999 
JST Material Number： D0193B  ISSN： 0028-0836  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon dioxide ,...
Semi thesaurus term： conduction band

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JST classification (1)： Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Terms in the title (3)： ゲート酸化物 ,  原子スケール ,  電子構造