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J-GLOBAL ID：200902136567154808   Reference number：98A0887356

Energy levels in self-assembled InAs/GaAs quantum dots above the pressure-induced Γ-X crossover.

自己形成InAs/GaAs量子ドットの圧力誘起Γ-Xクロスオーバ以上でのエネルギー準位

Author (7)： ITSKEVICH I E (Univ. Nottingham, Nottingham, GBR) ,  LYAPIN S G (Univ. Oxford, Oxford, GBR) ,  TROYAN I A (Univ. Oxford, Oxford, GBR) ,  KLIPSTEIN P C (Univ. Oxford, Oxford, GBR) ,  EAVES L (Univ. Nottingham, Nottingham, GBR) ,  MAIN P C (Univ. Nottingham, Nottingham, GBR) ,  HENINI M (Univ. Nottingham, Nottingham, GBR)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 58  Issue： 8  Page： R4250-R4253  Publication year： Aug. 15, 1998 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...
Semi thesaurus term： pressure dependence

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JST classification (2)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (7)： 自己形成 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  誘起 ,  クロスオーバ ,  エネルギー準位