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J-GLOBAL ID：200902136809612571   Reference number：93A0500226

InGaAs/GaAs strained quantum wire lasers grown by organometallic chemical vapor deposition on nonplanar substrates.

非平面基板上の有機金属化学蒸着によって成長したInGaAs/GaAs歪み量子ワイヤレーザ

Author (5)： WALTHER M (Bellcore, New Jersey) ,  KAPON E (Bellcore, New Jersey) ,  CANEAU C (Bellcore, New Jersey) ,  HWANG D M (Bellcore, New Jersey) ,  SCHIAVONE L M (Bellcore, New Jersey)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 62  Issue： 18  Page： 2170-2172  Publication year： May. 03, 1993 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： quantum well laser ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (6)： 有機金属化学蒸着 ,  成長 ,  InGaAs ,  GaAs ,  歪み ,  量子ワイヤレーザ