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J-GLOBAL ID：200902136911837715   Reference number：96A0957900

Removal of polishing-induced damage from 6H-SiC(0001) substrates by hydrogen etching.

水素エッチングによる6H-SiC(0001)基板からの研磨で生じた損傷の除去

Author (4)： OWMAN F (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  HALLIN C (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  MARTENSSON P (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  JANZEN E (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 167  Issue： 1/2  Page： 391-395  Publication year： Sep. 1996 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...

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JST classification (1)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (5)： 水素 ,  エッチング ,  6H-SiC ,  研磨 ,  損傷