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J-GLOBAL ID：200902137197636588   Reference number：00A0428864

Mechanism for secondary electron dopant contrast in the SEM.

SEMにおける二次電子ドーパントコントラストに対する機構

Author (3)： SEALY C P (Univ. Oxford, Oxford, GBR) ,  CASTELL M R (Univ. Oxford, Oxford, GBR) ,  WILSHAW P R (Univ. Oxford, Oxford, GBR)
Material： Journal of Electron Microscopy  (電子顕微鏡学会誌)
Volume： 49  Issue： 2  Page： 311-321  Publication year： 2000 
JST Material Number： G0104A  ISSN： 0022-0744  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： scanning electron microscope ,...

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JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Microscopy determination of structures  (BK01040E)

Reference (26)：

• MALTA, D P. Secondary electron emission enhancement and defect contrast from diamond following exposure to atomic hydrogen. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1929-1931
• SHIH, A. Secondary electron emission from diamond surfaces. J. Appl. Phys. 1997, 82, 1860-1867
• CASTELL, M R. Electronic contribution to secondary electron compositional contrast in the scanning electron microscope. Ultramicroscopy. 1997, 69, 279-287
• HOMMA, Y. Atomic configuration dependent secondary electron emission from reconstructed silicon surfaces. Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 3276-3278
• AVEN, M. Scanning electron microscopy and cathodoluminescense of ZnSe_xTe_<1-x p-n> junctions. J. Appl. Phys. 1972, 43, 4136-4142

Terms in the title (4)： SEM ,  二次電子 ,  ドーパント ,  コントラスト