Art

J-GLOBAL ID：200902137393722123   Reference number：95A0819826

Hydrogen passivation of donors and acceptors in SiC.

SiCのドナーとアクセプタの水素不動態化

Author (4)： GENDRON F (Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA) ,  PORTER L M (North Carolina State Univ., North Carolina) ,  PORTE C (Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA) ,  BRINGUIER E (Univ. Pierre et Marie Curie, Paris, FRA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 67  Issue： 9  Page： 1253-1255  Publication year： Aug. 28, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A0819826&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  EPR of metals and semiconductors  (BM07022M)

Terms in the title (5)： SiC ,  ドナー ,  アクセプタ ,  水素 ,  不動態化