Art

J-GLOBAL ID：200902137744863705   Reference number：98A0259059

Molecular-beam epitaxy of gallium nitride on (0001) sapphire substrates using ammonia.

(0001)サファイア基板上でのアンモニアを用いた窒化ガリウムの分子ビームエピタクシー

Author (7)： GRANDJEAN N (Centre de Rech. H<span style=text-decoration:overline>e ́</span>t<span style=text-decoration:overline>e ́</span>ro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  MASSIES J (Centre de Rech. H<span style=text-decoration:overline>e ́</span>t<span style=text-decoration:overline>e ́</span>ro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  VENNEGUES P (Centre de Rech. H<span style=text-decoration:overline>e ́</span>t<span style=text-decoration:overline>e ́</span>ro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  LEROUX M (Centre de Rech. H<span style=text-decoration:overline>e ́</span>t<span style=text-decoration:overline>e ́</span>ro-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  DEMANGEOT F (Univ. Paul Sabatier, Toulouse, FRA) ,  RENUCCI M (Univ. Paul Sabatier, Toulouse, FRA) ,  FRANDON J (Univ. Paul Sabatier, Toulouse, FRA)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 83  Issue： 3  Page： 1379-1383  Publication year： Feb. 01, 1998 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： gas-source MBE

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： サファイア基板 ,  アンモニア ,  窒化ガリウム ,  分子ビームエピタクシー