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J-GLOBAL ID：200902137917821019   Reference number：97A0257048

Spontaneous emission of localized excitons in InGaN single and multiquantum well structures.

InGaN単一および多重量子井戸構造における局在励起子の自然放出

Author (4)： CHICHIBU S (Sci. Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  AZUHATA T (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SOTA T (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  NAKAMURA S (Nichia Chemical Ind. Ltd., Tokushima, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 69  Issue： 27  Page： 4188-4190  Publication year： Dec. 30, 1996 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nitride ,...

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JST classification (3)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (4)： InGaN ,  多重量子井戸 ,  励起子 ,  自然放出