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J-GLOBAL ID：200902138049073473   Reference number：03A0019613

A Top-Gate Carbon-Nanotube Field-Effect Transistor with a Titanium-Dioxide Insulator.

二酸化チタン絶縁体を使ったトップゲート炭素ナノチューブ電界効果トランジスタ

Author (4)： NIHEY F (NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  HONGO H (NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  YUDASAKA M (NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  IIJIMA S (NEC Corp., Tsukuba, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 41  Issue： 10A  Page： L1049-L1051  Publication year： Oct. 01, 2002 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *nanotube ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (23)：

• 1) S. Iijima and T. Ichihashi: Nature 363 (1993) 603.
• 2) D. S. Bethune, C. H. Kiang, M. S. de Vries, G. Gorman, R. Savoy, J. Vazquez and R. Beyers: Nature 363 (1993) 605.
• 3) R. Saito, G. Dresselhaus and M. S. Dressehaus: Physical Properties of Carbon Nanotubes (Imperial College Press, London, 1998).
• 4) Carbon Nanotubes: Synthesis, Structure, Properties, and Applications, eds. M. S. Dresselhaus, G. Dresselhaus and P. Avouris (Springer-Verlag, Berlin, 2001).
• 5) J. W. Mintmire, B. I. Dunlap and C. T. White: Phys. Rev. Lett. 68 (1992) 631.

Terms in the title (6)： 二酸化チタン ,  絶縁体 ,  トップ ,  ゲート ,  炭素ナノチューブ ,  電界効果トランジスタ