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J-GLOBAL ID：200902138258248701   Reference number：96A0656384

Design and simulation of 6H-SiC UMOS FET and IGBT for high-temperature power electronics applications.

高温の電力エレクトロニクスに応用する6H-SiC UMOS FET及びIGBTの設計とシミュレーション

Author (7)： RAMUNGUL N (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, U.S.A.) ,  TYAGI R (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, U.S.A.) ,  BHALLA A (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, U.S.A.) ,  CHOW T P (Rensselaer Polytechnic Inst., NY, U.S.A.) ,  GHEZZO M (General Electric Corporate Res. and Development, NY, U.S.A.) ,  KRETCHMER J (General Electric Corporate Res. and Development, NY, U.S.A.) ,  HENNESSY W (General Electric Corporate Res. and Development, NY, U.S.A.)
Material： Institute of Physics Conference Series  (Inst Phys Conf Ser)
Issue： 142  Page： 773-776  Publication year： 1996 
JST Material Number： E0403B  ISSN： 0305-2346  CODEN： IPHSAC  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： 電力エレクトロニクス ,  応用 ,  6H-SiC ,  FET ,  IGBT ,  設計 ,  シミュレーション