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J-GLOBAL ID：200902138621060647   Reference number：00A0665613

A High-Speed, Low-Power SOI CMOS Circuit with Variable Threshold Voltages.

しきい値電圧を出力信号で制御する高速・低消費電力SOI-CMOS回路

Author (2)： HIGUCHI HISAYUKI (前橋工科大) ,  IKEDA TAKAHIDE (日立 デバイス開セ)
Material： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
Volume： J83-C  Issue： 6  Page： 487-494  Publication year： Jun. 25, 2000 
JST Material Number： S0623C  ISSN： 1345-2827  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： CMOS structure ,...

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JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Terms in the title (5)： しきい値電圧 ,  出力信号 ,  低消費電力 ,  SOI ,  CMOS回路