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J-GLOBAL ID：200902138658587688   Reference number：93A0977170

1200V High-Side Lateral MOSFET in Junction-Isolated Power IC Technology Using Two Field-Reduction Layers.

二つのフィールド低減層を用いた接合分離電力IC技術における1200V高圧側ラテラルMOSFET

Author (3)： AJIT J S (International Rectifier, CA) ,  KINZER D (International Rectifier, CA) ,  RANJAN N (International Rectifier, CA)
Material： Proceedings of the 5th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 1993  (Proc 5th Int Symp Power Semicond Devices ICs 1993)
Page： 230-235  Publication year： 1993 
JST Material Number： K19930580  ISBN： 0-7803-1314-3  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： フィールド ,  電力IC ,  高圧 ,  MOSFET