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J-GLOBAL ID：200902138946911783   Reference number：95A0451957

Effect of stress on the density of deep localized states in amorphous silicon thin film transistors.

Author (5)： SLADE H C (Univ. Virginia, VA) ,  GELMONT B (Univ. Virginia, VA) ,  GLOBUS T (Univ. Virginia, VA) ,  SHUR M (Univ. Virginia, VA) ,  HACK M (Xerox PARC, CA)
Material： Proceedings of the 2nd Symposium on Thin Film Transistor Technologies, 1994  (Proc 2nd Symp Thin Film Transistor Technol 1994)
Page： 207-218  Publication year： 1995 
JST Material Number： K19950213  ISBN： 1-56677-094-7  Document type： Proceedings
Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)